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弯道超车?三星3nm制程或有可能先于台积电投产!

据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露,三星在对投资人释出的最新简报中透露,旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产,进度比台积电更快,力图弯道超车,正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战。

台积电向来不对竞争对手置评。台积电先前于法说会上指出,采用 FinFET 架构的 3nm 依原规画在下半年量产,将是“下个大成长节点”。

业界人士分析,三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时,但从晶体管密度、效能等层面分析,三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm,以及英特尔的 Intel 4 制程相当。

据台媒《经济日报》分析,三星以“3nm”为最新制程进度命名,表面上赢了面子,但在晶体管密度、效能等都还是落后台积电,“实际上还是输了里子”。

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TechSpot 等外媒报导,三星向投资人简报表示,正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段,也就是在未来八周内启动量产程序,意味 3nm 量产倒数计时。

三星表示,相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程,新的 3nm 制程所生产的芯片,可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作,使整体耗电量降低 50%,效能提升 30%,芯片体积减少 45%。

分析师指出,三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度,最终可能与英特尔的制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当,但是频宽与漏电控制表现会更好,带来更优异的效能。

但目前无法得知的最大变量,是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低,导致主要客户大幅转单台积电。业界传出,目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头,但未获三星证实。

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另一方面,三星也未透露采用其 3nm 制程的客户。相较之下,台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露,旗下 3nm 应用有诸多客户参与,预计首年相较 5nm 与 7nm,会有更多新的产品设计定案。

业界认为,苹果、AMD、英伟达、高通、英特尔、联发科等大厂,都会是台积电 3nm 量产初期的主要客户,应用范围涵盖高速运算、智慧手机等领域。

台积电强调,3nm 今年下半年量产之后,在 PPA(效能、功耗及面积)及晶体管技术都将领先,且有良好的良率,有信心 3nm 会持续赢得客户信赖。

另外,台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局,预期 2024 年风险试产,目标 2025 年量产,看好 2nm 将是业界最领先,且是支持客户成长最适合的技术。

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